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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

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瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。(左圖)照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。

(左圖)照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

特點(diǎn)

  1. BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備
    本設(shè)備向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測量此時基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源,提升結(jié)點(diǎn)溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測量基極與發(fā)射極之間的電壓,計算出差值。
  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)瞬態(tài)熱電阻測量儀
    與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測量儀器。
  3. P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測量儀
    與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與源極之間電壓差值的測量儀器。
  4. 能夠測量二極管的ΔVF

主要的設(shè)備規(guī)格

Model No.2082B208320852086
測量條件VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100, 200mS
500, 1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~249.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~99V
IE 0.1~99.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2,5S,DC
測量范圍ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS (max) 20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
采樣點(diǎn)Td 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µS
大偏置條件?PW 1mS時
VCB 199V
IE 29.9A
?PW 1S時
VCB 20V
IE 20.0A
?PW 100µS時
VCB 599V
IE 250A
?PW 2S時
VCB 20V
IE 50A
?PW 100µS時
VCB 599V
IE 500A
?PW 2S時
VCB 20V
IE 100A
?PW 100µS時
VCB 99V
IE 99.9A
?PW DC時
VCB 10V
IE 50A
樣品極性Nch/Pch
NPN/PNP
NPNNPNNPN
電源AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±10%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]W670
D750
H1400
W820
D1350
H1700
W820
D1350
H1700
W670
D750
H1400
Model No.208721852186
測量條件VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
VCE 5~99V
IE 1~399A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5, 10mS
20,50, 100,mS
200,500mS
1,2,5,10S
VCE 10~1200V
IE 0.1~99.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
測量范圍ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVGE
5~1999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
ΔVGE
10~999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
采樣點(diǎn)Td 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µS
大偏置條件?PW 100µS時
VCB 1200V
IE 1000A
?PW 2S時
VCB 20V
IE 200A
?PW 1mS時
VCE 99V
IE 399A
?PW 2S時
VCE 20V
IE 100A
?PW 100µS時
VCE 1200V
IE 99.9A
?PW 2S時
VCE 20V
IE 50A
樣品極性NPNNch
NPN
Nch
NPN
電源AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]W1600
D2000
H1600
W1520
D2100
H1750
W800
D1600
H2000

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