原子層沉積 (ALD) 是一種真正的納米技術(shù), 可以準(zhǔn)確可靠地沉積僅幾個(gè)納米厚的超薄薄膜。等離子體可以實(shí)現(xiàn)出色的表面預(yù)處理, 控制薄膜性質(zhì)以及作為種類廣泛的沉積源。牛津儀器 OpAL原子層沉積（ALD）系統(tǒng)是一種帶有等離子體選項(xiàng)的直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備。 它可通過清晰而易行的途徑升級為等離子體 ALD，這樣便可在一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)等離子體和熱ALD。

• ALD產(chǎn)品家族涵蓋的系列設(shè)備可以滿足學(xué)術(shù)界、企業(yè)研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)的多種需求。

• 實(shí)時(shí)監(jiān)測選項(xiàng)，包括與ALD控制軟件相聯(lián)的光譜橢偏儀。

• OpAL系統(tǒng)可通過清晰而易行的途徑升級為等離子體，這樣便可在一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)等離子體和熱ALD。

  • 緊湊型直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備，帶有等離子選項(xiàng)

  • 適用于小尺寸至200mm的晶圓片

  • 蒸汽吸取或鼓泡四種液體或固體前驅(qū)體

  • 實(shí)時(shí)檢測選項(xiàng)，包括與ALD控制軟件相聯(lián)的光譜橢偏儀

   

牛津儀器 OpAL原子層沉積（ALD）系統(tǒng)特點(diǎn)

牛津儀器有大量的工藝儲備，并且還在不斷開發(fā)新的工藝。我們?yōu)樗械腁LD設(shè)備提供的、延續(xù)不斷的工藝支持，我們還將為您提供關(guān)于開發(fā)新材料的建議，同時(shí)繼續(xù)與您共享包括新工藝配方在內(nèi)的新的ALD工藝進(jìn)展。

可配備帶有樣品傳送入口的氮?dú)獯祾呤痔紫?nbsp;- 適用于干燥環(huán)境

易于拆卸的內(nèi)腔室 - 減少腔室清洗時(shí)間

機(jī)柜可安裝在抽氣管路上并附帶氮?dú)獯祾?nbsp;- 以確保健康和安全的承諾

氣動(dòng)起重裝置 - 用于安全打開腔室

可配備抽氣罩或氮?dú)獯祾呤痔紫?nbsp;- 以確保健康和安全的承諾

牛津儀器 OpAL原子層沉積（ALD）系統(tǒng)應(yīng)用

• 納米電子
• 高K柵氧化物
• 存儲電容電介質(zhì)
• 用于Cu互連的高深寬比擴(kuò)散隔層
• 用于OLED和聚合物的無針孔鈍化層
• 用于晶體硅太陽能電池的鈍化
• 用于微流體和MEM的高保形涂層
• 納米多孔結(jié)構(gòu)的涂層
• 生物MEMS
• 燃料電池