NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

 SRM 2842 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經(jīng)過認證的 Al 摩爾分數(shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

操作、儲存和使用說明

貯存和搬運：

NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層AlGaAs是一種穩(wěn)定的化學化合物，但在儲存和搬運過程中，薄膜會受到表面污染和氧化。SRM應(yīng)儲存在無塵氮氣氣氛或真空溫度低于50°C的環(huán)境中?？諝庵械呐既晃廴驹诮佑|超過數(shù)千小時后才能被發(fā)現(xiàn)會產(chǎn)生重大污染。SRM應(yīng)由帶清潔非金屬纏繞器的金屬安裝盤處理，而不與半導體區(qū)域接觸。半導體表面的微粒污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染。用于將半導體安裝到不銹鋼圓盤上的附著帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，這些溶劑的使用可能導致附著或膠帶顆粒遷移到試樣表面。分析中應(yīng)排除這些物質(zhì)表面的邊緣。

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