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參考價 | 面議 |
- 公司名稱 深圳市順心科技有限公司
- 品牌
- 型號 Crossbeam350/550
- 所在地 深圳市
- 廠商性質 其他
- 更新時間 2023/12/3 19:58:45
- 訪問次數(shù) 61
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蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束(FIB) 的優(yōu)異加工能力相結合。無論是切割、成像或進行 3D 分析,Crossbeam 系列都能極大地提升您的應用體驗。借助 Gemini 電子光學系統(tǒng),您可從高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)圖像中獲取真實的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒整體上引入了全新的 FIB 加工方法。這種方法能夠減少樣品損傷,提升樣品質量,從而加快實驗進程。通過為您量身定制儀器,可以實現(xiàn)高質量和高速度的 TEM 薄片樣品制備。Crossbeam 350 具有可選的可變氣壓功能。Crossbeam 550 可以針對您急需的樣品實現(xiàn)更嚴苛的制樣與表征,以及選擇更適配樣品的樣品倉尺寸。無論用于科研機構還是工業(yè)實驗室,單用戶實驗室或多用戶實驗平臺,如果您追求獲得高質量,高影響力的實驗結果,則蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺設計允許您根據(jù)自身需求變化,隨時對儀器系統(tǒng)進行升級。
Crossbeam 350 的 Gemini 可變氣壓鏡筒適用于各類樣品,用途廣泛。利用可變氣壓模式,可進行原位實驗,即便樣品含有氣體或容易荷電,也能提供出色的分析環(huán)境。
Crossbeam 550 的 Gemini II 鏡筒與其雙聚光鏡系統(tǒng)在低電壓或高束流下也能獲得高分辨率圖像, 如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析,這無疑是您的理想之選。
型號 | 察司 Crossbeam 350 | 察司 Crossbeam 550 |
掃描電子顯微鏡(SEM) | 肖特基發(fā)射源 | 肖特基發(fā)射源 |
1.7 nm @ 1 kV | 1.4 nm @ 1 kV | |
1.2 nm @ 1 kV,配備 Tandem decel | ||
1.6 nm @ 2(X) V,配備 Tandem decel | ||
0.9 nm @ 5 kV | 0.7 nm? 15kV | |
0.7 nm 仞 30 kV (STEM 模式) | 0.6nm@30kV (STEM 模式) | |
2.3 nm ? - kV (工作距離 5 mm) | 1.8 nm ? 1 kV (工作距離 5mm) | |
1.3 nm ? 1 kV.配備 Tandem deed (工作距離 5 mm) | ||
1.1 nm ? "5kV (工作距離 5 mm) | 0.9nm@ 15kV (工作距離 5 mm) | |
2.3 nm 仞 20 kV & 10 nA (工作距離 5 mm) | 2.3nm@20kV&10nA (工作距離 5 mm) | |
電子束流:5 M-100 nA | 電子束流:10 pA-100 nA | |
聚焦離子束(FIB) | 液態(tài)金屬離子源:壽命:3000 pAh | 液態(tài)金屬離子源:壽命:3000 pAh |
分辨率:3nm@30kV (統(tǒng)計方法) | 分辨率:3nm@30kV (統(tǒng)計方法) | |
分辨率:120nm@1 kV&10pA (可選) | 分辨率:120nm 仞 1 kV& 10pA | |
檢測器 | Intens SE. hlens EsB. VPSE (可變氣壓二次電子探測劉、 SESI (二次電子二次離子探測器)、aSTEM (掃描透射電子探測器)、 aBSD (背散射探測器) | Inlens SE. Intens EsE. ETD (Everhard-Thomley 探測器)、 SESI (二次電子二次離子探測器)、aSTEM (掃描透射電子探測器)、 aBSD (背散射探測器)和CL (陰披熒光探測器) |
樣品倉規(guī)格和鎭口 | 標準樣品倉配有18個可配買端口 | 標準樣品倉配有18個可配買端口 大型樣品倉配有22個可配置說口 |
樣品臺 | X/Y = 100 mm | X/Y = 100 mm X/Y = 153 mm |
Z = 50 rnrr, Z '=13 mm | Z = 50 mm. Z * = 13 mm Z = 50 mm. Z * = 20 mm | |
T = -4° 至 70。,R = 360° | T = -4° 至 70。,R =360° T=-15。至 70。,R = 360° | |
電荷控制 | 電子束流槍 | 電子束流槍 |
局部電荷中和箋 | 局部電荷中和箋 | |
可變氣壓 | — | |
氣體 | 單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiO,. W. H.0 | 單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiOx. w. h2o |
多通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. W. Au. H2O. SiOx XeF2 | 多通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C、W、Au. A。、SOX. XeF2 |
典型應用,典型樣品 | 任務 | 蔡司Crossbeam應用案例 |
橫截面切割 | 獲取橫裁面的高渤率醐,以得到亞表面信息。 | Crossbeam提供一系列用于全面樣品表征的探測器,可同時呈現(xiàn)四種探測器信號,從 樣品中得到更多信息。Gemini鏡筒的設計可避免樣品暴路于磁場中,在大觀察視野下 圏像無崎變。高達50 kx 40 k的圖像幀存儲分辨率令Crossbeam成為大面枳作分布囲 應用的理想之選。 |
FIB-SEM斷層掃描成像 | 可在獲得一系列哉面圖像后進行3D重構。 | Inlens EsB探測器提供優(yōu)異的材科成分襯度,并由于其只探測樣品表面幾納米深度內(nèi)的 信號從而實現(xiàn)極表面成像。在F舊切割時使用EsB成像可使持續(xù)時間較長的實驗效率 更高。智能軟件解決方案能鑼在短時間內(nèi)實現(xiàn)長時間無人值守的3D數(shù)據(jù)采集工作,以 獲得可靠和精確的結果。 |
生命科學領域中的FIB-SEM三維至構 | 獲取橫裁面的高渤圖像或執(zhí)行大量斷層掃描,以逬行形態(tài)分析。 | 通過對感興趣區(qū)域進行精準定位.成像以及重構來獲取生物樣品的3D信息。 |
3D分析 | 研究樣品的化學和晶體微觀結構。 | Crossbeam是對樣品誑行3D EDS和3DEBSD分析的利器,可通過提供的不同軟 件包全自動采集3D數(shù)據(jù)集。 |
TEM樣品制備 | 制謹TEM或STEM薄片樣品,以進行分析。 | Crossbeam提供了完整的TEM薄片樣品制備解戻方案,晝至可逬行批量制備。 Ion-sculptor FIB鏡筒貝有在低電壓下獲取高質量薄片樣品的出色性能,可避免情密樣品 的非晶體化,定會讓您受益匪淺。只需完成簡單的三步工作流程,然后等待自動執(zhí)行即 可。在最終筋薄期間,采用獲得的X2樣品夾可制備高質量的薄片樣品。終點探測軟 件能夠獲取薄片樣品厚度的精確信息,對您大有助益。 |
納米圖形化加工 | 利用FIB (或SEM)結合不同的輔助氣體, 創(chuàng)建新結構或對現(xiàn)有結構進行加工。 | 在SEM的全面實時控制下逬行FIB圏形化加工。在FIB圏像中選擇和繪制您要創(chuàng)建的形 狀、設置參數(shù)并開始加工即可。即使臺無經(jīng)驗的用戶也可利用此方便易用的系統(tǒng)軟件獲 得出色的成像結果。在多數(shù)高級加工任務中,您可使用軟件訪問所有相關的SEM、F舊 或GIS參數(shù),從而在單個對象層面上定制的F舊加工方案。您可在潔線狀態(tài)下計劃 和創(chuàng)建FIB任務。 |
電池或聚合物的表面高靈敏分析 | 對固體表面幾個原子層的組分逬行表征。 | 新増ToF-SIMS飛行時間二次離子段譜儀使您能夠分析鋰等微量元素,檢測同位素, 并作元素分布圖及深度剖面分析,其橫向分析分辨率低至35nmo |
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