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Crossbeam350/550 聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 深圳市順心科技有限公司
  • 品牌
  • 型號 Crossbeam350/550
  • 所在地 深圳市
  • 廠商性質 其他
  • 更新時間 2023/12/3 19:58:45
  • 訪問次數(shù) 61

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蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束(FIB) 的優(yōu)異加工能力相結合。無論是切割、成像或進行 3D 分析,Crossbeam 系列都能極大地提升您的應用體驗。借助 Gemini 電子光學系統(tǒng),您可從高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)圖像中獲取真實的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒整體上引入了全新的 FIB 加工方法。這種方法能夠減少樣品損傷,提升樣品質量,從而加快實驗進程。通過為您量身定制儀器,可以實現(xiàn)高質量和高速度的 TEM 薄片樣品制備。Crossbeam 350 具有可選的可變氣壓功能。Crossbeam 550 可以針對您急需的樣品實現(xiàn)更嚴苛的制樣與表征,以及選擇更適配樣品的樣品倉尺寸。無論用于科研機構還是工業(yè)實驗室,單用戶實驗室或多用戶實驗平臺,如果您追求獲得高質量,高影響力的實驗結果,則蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺設計允許您根據(jù)自身需求變化,隨時對儀器系統(tǒng)進行升級。

詳細信息 在線詢價

產(chǎn)品介紹
  • Crossbeam 350 的 Gemini 可變氣壓鏡筒適用于各類樣品,用途廣泛。利用可變氣壓模式,可進行原位實驗,即便樣品含有氣體或容易荷電,也能提供出色的分析環(huán)境。

  • Crossbeam 550 的 Gemini II 鏡筒與其雙聚光鏡系統(tǒng)在低電壓或高束流下也能獲得高分辨率圖像, 如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析,這無疑是您的理想之選。

技術參數(shù)
型號察司 Crossbeam 350察司 Crossbeam 550
掃描電子顯微鏡(SEM)肖特基發(fā)射源肖特基發(fā)射源
1.7 nm @ 1 kV1.4 nm @ 1 kV
1.2 nm @ 1 kV,配備 Tandem decel
1.6 nm @ 2(X) V,配備 Tandem decel
0.9 nm @ 5 kV0.7 nm? 15kV
0.7 nm 仞 30 kV (STEM 模式)0.6nm@30kV (STEM 模式)
2.3 nm ? - kV (工作距離 5 mm)1.8 nm ? 1 kV (工作距離 5mm)

1.3 nm ? 1 kV.配備 Tandem deed (工作距離 5 mm)
1.1 nm ? "5kV (工作距離 5 mm)0.9nm@ 15kV (工作距離 5 mm)
2.3 nm 仞 20 kV & 10 nA (工作距離 5 mm)2.3nm@20kV&10nA (工作距離 5 mm)
電子束流:5 M-100 nA電子束流:10 pA-100 nA
聚焦離子束(FIB)液態(tài)金屬離子源:壽命:3000 pAh液態(tài)金屬離子源:壽命:3000 pAh
分辨率:3nm@30kV (統(tǒng)計方法)分辨率:3nm@30kV (統(tǒng)計方法)
分辨率:120nm@1 kV&10pA (可選)分辨率:120nm 仞 1 kV& 10pA
檢測器Intens SE. hlens EsB. VPSE (可變氣壓二次電子探測劉、 SESI (二次電子二次離子探測器)、aSTEM (掃描透射電子探測器)、 aBSD (背散射探測器)Inlens SE. Intens EsE. ETD (Everhard-Thomley 探測器)、 SESI (二次電子二次離子探測器)、aSTEM (掃描透射電子探測器)、 aBSD (背散射探測器)和CL (陰披熒光探測器)
樣品倉規(guī)格和鎭口標準樣品倉配有18個可配買端口標準樣品倉配有18個可配買端口  大型樣品倉配有22個可配置說口
樣品臺X/Y = 100 mmX/Y = 100 mm                           X/Y = 153 mm
Z = 50 rnrr, Z '=13 mmZ = 50 mm. Z * = 13 mm           Z = 50 mm. Z * = 20 mm
T = -4° 至 70。,R = 360°

T = -4° 至 70。,R =360°         

T=-15。至 70。,R = 360°

電荷控制電子束流槍電子束流槍
局部電荷中和箋局部電荷中和箋
可變氣壓
氣體單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiO,. W. H.0單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiOx. w. h2o
多通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. W. Au. H2O. SiOx XeF2多通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C、W、Au. A。、SOX. XeF2
應用案例
應用,典型樣品任務蔡司Crossbeam應用案例
橫截面切割獲取橫裁面的高渤率醐,以得到亞表面信息。Crossbeam提供一系列用于全面樣品表征的探測器,可同時呈現(xiàn)四種探測器信號,從 樣品中得到更多信息。Gemini鏡筒的設計可避免樣品暴路于磁場中,在大觀察視野下 圏像無崎變。高達50 kx 40 k的圖像幀存儲分辨率令Crossbeam成為大面枳作分布囲 應用的理想之選。
FIB-SEM斷層掃描成像可在獲得一系列哉面圖像后進行3D重構。Inlens EsB探測器提供優(yōu)異的材科成分襯度,并由于其只探測樣品表面幾納米深度內(nèi)的 信號從而實現(xiàn)極表面成像。在F舊切割時使用EsB成像可使持續(xù)時間較長的實驗效率 更高。智能軟件解決方案能鑼在短時間內(nèi)實現(xiàn)長時間無人值守的3D數(shù)據(jù)采集工作,以 獲得可靠和精確的結果。
生命科學領域中的FIB-SEM三維至構獲取橫裁面的高渤圖像或執(zhí)行大量斷層掃描,以逬行形態(tài)分析。通過對感興趣區(qū)域進行精準定位.成像以及重構來獲取生物樣品的3D信息。
3D分析研究樣品的化學和晶體微觀結構。Crossbeam是對樣品誑行3D EDS和3DEBSD分析的利器,可通過提供的不同軟 件包全自動采集3D數(shù)據(jù)集。
TEM樣品制備制謹TEM或STEM薄片樣品,以進行分析。Crossbeam提供了完整的TEM薄片樣品制備解戻方案,晝至可逬行批量制備。 Ion-sculptor FIB鏡筒貝有在低電壓下獲取高質量薄片樣品的出色性能,可避免情密樣品 的非晶體化,定會讓您受益匪淺。只需完成簡單的三步工作流程,然后等待自動執(zhí)行即 可。在最終筋薄期間,采用獲得的X2樣品夾可制備高質量的薄片樣品。終點探測軟 件能夠獲取薄片樣品厚度的精確信息,對您大有助益。
納米圖形化加工利用FIB (或SEM)結合不同的輔助氣體, 創(chuàng)建新結構或對現(xiàn)有結構進行加工。在SEM的全面實時控制下逬行FIB圏形化加工。在FIB圏像中選擇和繪制您要創(chuàng)建的形 狀、設置參數(shù)并開始加工即可。即使臺無經(jīng)驗的用戶也可利用此方便易用的系統(tǒng)軟件獲 得出色的成像結果。在多數(shù)高級加工任務中,您可使用軟件訪問所有相關的SEM、F舊 或GIS參數(shù),從而在單個對象層面上定制的F舊加工方案。您可在潔線狀態(tài)下計劃 和創(chuàng)建FIB任務。
電池或聚合物的表面高靈敏分析對固體表面幾個原子層的組分逬行表征。新増ToF-SIMS飛行時間二次離子段譜儀使您能夠分析鋰等微量元素,檢測同位素, 并作元素分布圖及深度剖面分析,其橫向分析分辨率低至35nmo


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