（1）電子源：GEMINI鏡筒，高穩(wěn)定性Schottky熱場發(fā)射電子槍。

（2）物鏡系統(tǒng)：電磁/靜電式物鏡系統(tǒng)，電子束無交叉光路設計。

（3）高真空SE分辨率：0.8nm@15kv, 1.4nm@1kv

（4）加速電壓：20V～30 kV，以10 V步進連續(xù)可調，無需切換減速模式。

（5）探針電流：4pA-20 nA，束流穩(wěn)定性優(yōu)于 0.2 %/h。

（6）放大倍率范圍：10×～1,000,000×（照片放大倍率）。高倍率與低倍率連續(xù)可調，無需任何模式轉換。

（7）探測器系統(tǒng)：樣品室內二次電子探測器1個；鏡筒內正光軸環(huán)形高效二次電子In-lens探測器1個；

樣品室內HDBSD高分辨背散射電子探測器1個；紅外CCD樣品室觀察系統(tǒng)1個。

（8）樣品室形狀及尺寸：樣品室是由整塊鋼件掏空制成的為圓柱形、厚壁、整體結構樣品室,抗磁，防震，抗噪聲。

樣品室直徑或寬度要求不小于350mm，高度或深度不低于250mm；

（9）樣品臺類型：5軸馬達樣品臺，抽屜式安裝，采用雙操縱桿控制盒控制。移動范圍：X＞125mm；Y ＞125mm；Z ＞40 mm；T≥-4o~+70o；R＝360o。

（10）能譜儀工作條件：工作距離8.5 mm，X射線出射角35°。

（11）物鏡光闌：7孔光闌，的電磁式自動選擇與電子束對中。

（12）X射線能譜儀（牛津）

探測器：分析型SDD硅漂移電制冷探測器，晶體面積30mm2。超薄窗設計, 無需液氮冷卻，僅消耗電能。

能量分辨率：MnKa保證優(yōu)于127eV, 元素分析范圍: Be4～Cf98。

圓形對稱芯片，獨立封裝FET場效應管，避免X射線轟擊。

譜峰穩(wěn)定性：1,000cps到100,000cps，MnKa峰譜峰漂移小于1eV，分辨率變化小于1eV, 48小時內峰位漂移小于1.5eV。