小尺寸基片的研發(fā)解決方案
SUSS的MJB4是廣受歡迎的手動(dòng)光刻機(jī)MJB3的全新?lián)Q代產(chǎn)品。操作方便，占地面積小，成為實(shí)驗(yàn)室研究和小批量生產(chǎn)的理想設(shè)備。作為經(jīng)濟(jì)型光刻解決方案，MJB4針對(duì)直徑達(dá)100mm的小尺寸基片工藝確立了一套工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。MJB4配有高可靠和高精度的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，同時(shí)具備亞微米量級(jí)的高分辨率圖形轉(zhuǎn)移能力，這些特點(diǎn)都使得MJB4的性能明顯優(yōu)于同類設(shè)備。
亮點(diǎn)：
◆ 高分辨率掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米；
◆ 裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)；
◆ 針對(duì)厚膠工藝進(jìn)行優(yōu)化的高分辨光學(xué)系統(tǒng)；
◆ 可選配通用光學(xué)器件，在不同波長間進(jìn)行快速切換；
◆ 可通過裝配升級(jí)套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻。
MJB4系統(tǒng)可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產(chǎn)。它經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設(shè)備可通過選配升級(jí)套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻。
Details: Alignment
頂面對(duì)準(zhǔn)：
在光刻工藝中，只需對(duì)準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點(diǎn) 等），用頂部對(duì)準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。 根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲(chǔ)的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個(gè)現(xiàn)場照片 、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
我們的客戶可以從中得到以下好處：
◆ 掩模對(duì)準(zhǔn)器的對(duì)準(zhǔn)精度
◆ 清晰、強(qiáng)大的圖像識(shí)別功能，即使在對(duì)比度不理想的情況下
紅外對(duì)準(zhǔn)：
多層晶圓堆疊被應(yīng)用在許多構(gòu)造工藝中。 用紅外照射可以識(shí)別并對(duì)準(zhǔn)通常埋在層之間的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
紅外光還可以根據(jù)這些埋入的標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。 這需要使用能透過紅外線的材料，例如硅、III-V族半導(dǎo)體（如砷化鎵）以及臨時(shí)鍵合和鍵合分離工藝中所使用的粘著劑 通過個(gè)例研究檢查可行性。
為了盡可能擴(kuò)大紅外對(duì)準(zhǔn)的使用范圍，SUSS 掩模對(duì)準(zhǔn)器可以選配強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)。
我們的客戶可以從中得到以下好處：
◆ 強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)
