移動(dòng)端
直播推薦
回放
回放
紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光區(qū)（400nm-630nm）高透, 近紅外（700nm-1100nm）截止的光學(xué)濾光片, 主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車(chē)攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域, 用于消除紅外光線(xiàn)對(duì) CCD/CMOS 成像的影響. 通過(guò)在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感覺(jué). 上海伯東某客戶(hù)為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過(guò)伯東推薦選用國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過(guò)程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.
KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備
1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積
2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國(guó) KRi 霍爾離子源 eH 3000
3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試
4. 鍍膜材料: Ti305+Si02
結(jié)果表明采用上海伯東美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過(guò)多次驗(yàn)證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).
美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿(mǎn)足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù).
霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):
型號(hào) | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
陽(yáng)極電壓 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
離子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
本體高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
水冷 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
浙公網(wǎng)安備 33010602002722號(hào)
2025廣州國(guó)際分析測(cè)試及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備展覽會(huì)暨技術(shù)研討會(huì)
展會(huì)城市：廣州市展會(huì)時(shí)間：2025-03-05