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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：180000
半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合...
功率器件無機(jī)材料金屬封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：40000
功率器件無機(jī)材料金屬封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在...
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：40000
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電...
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：40000
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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