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光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner)

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光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner)又名:掩模對準曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng),光刻機,紫外曝光機等;此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比高的型號,達到歐美品牌的對準精度,CCD顯示屏對準更為方便,液晶觸摸屏操作,采用歐司朗紫外燈,壽命長。

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 產(chǎn)品介紹

儀器簡介:

光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)

原產(chǎn)國: 韓國,能做到圖形化藍寶石襯底(PSS)光刻機,高性價比

型號:KCMA-100;

又名:掩模對準曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng),光刻機,紫外曝光機等;

ECOPIA為*的半導體設備供應商,多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發(fā)與生產(chǎn),并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域;該公司是目前世界上早將光刻機商品化的公司之一,擁有雄厚的技術研發(fā)力量和設備生產(chǎn)能力;并且其設備被眾多*企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用;以不錯的技術、*的工藝和良好的服務,贏得了用戶的青睞。

感謝南開大學,中科院半導體所,中科院長春應化所,中科院物理所,浙江師范大學使用此設備做課題研究??!

此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比高的型號,達到歐美品牌的對準精度,CCD顯示屏對準更為方便,液晶觸摸屏操作,采用歐司朗紫外燈,壽命長。整機效果皮實耐用,正常使用3年內(nèi)不會出問題!!

目前,上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產(chǎn),證明其品質(zhì)達到LED產(chǎn)業(yè)標準要求?。《乙呀?jīng)成功提供圖形化藍寶石襯底(PSS)光刻工藝設備.

技術參數(shù):

- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;

- 光束均勻性:<±3%;

- 曝光時間可調(diào)范圍:0.1 to 999.9秒;

- 對準精度:0.6-1微米

- 分辨率:1微米;

- 光束輸出強度:15-25mW/cm2;

項目 技術規(guī)格

曝光系統(tǒng)(Exposure System)

MDA-400M型 光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply

分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )

- Hard Contact : 1um

- Soft contact : 2um

- 20um Proximity: 5um

大光束尺寸 4.25×4.25 inch

光束均勻性 ≤ ±3% (4inch standard)

光束強度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity)

曝光時間可調(diào)整 0.1 to 999.9 sec

對準系統(tǒng)(Alignment System) 對準精度 1um

對準間隙 手動調(diào)節(jié)(數(shù)字顯示)

光刻模式 真空, 硬接觸, 軟接觸,漸進(Proximity)

卡盤水平調(diào)節(jié) 楔形錯誤補償Wedge Error Compensation

真空卡盤移動 X, Y: 10 mm, Theta: ±5°

Z向移動范圍 10mm

接近調(diào)整步幅 1um

樣品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch

掩模板尺寸 4 and 5 inch

Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系統(tǒng)包含真空泵)

壓縮空氣 CDA > 5Kg/cm2

氮氣 N2 >3Kg/cm2

電源 Electricity 220V, 15A, 1Phase

顯微鏡及顯示器

CCD and Monitor Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner)的主要特點:

- 光源強度可控;

- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);

- 系統(tǒng)控制:手動、半自動和全自動控制;

- 曝光模式:真空接觸模式(接觸力可調(diào)),Proximity接近模式, 投影模式;

- 真空吸盤范圍可調(diào);

- 技術:可雙面對準,可雙面光刻,具有IR和CCD模式

- 兩個CCD顯微鏡系統(tǒng),大放大1000倍,顯示屏直接調(diào)節(jié),比傳統(tǒng)目鏡對準更方便快捷,易于操作。

- 特殊的基底卡盤可定做;

- 具有楔形補償功能;


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