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| 美國Denton Vacuum 金/碳鍍膜機 |
| 丹頓真空公司位于美國費城，是世界*真空鍍膜設(shè)備制造商。 自一九六四年成立至今丹頓已為客戶制造了數(shù)千臺多種規(guī)格的蒸發(fā)設(shè)備、濺射和PECVD鍍膜系統(tǒng)，用于大型工業(yè)生產(chǎn)、科研開發(fā)和小規(guī)模制造。 丹頓用于科研開發(fā)和小規(guī)模制造的中小型鍍膜設(shè)備據(jù)美國*。 |
蒸發(fā)膜的厚度分布蒸發(fā)源的排放分布特性可用于確定真空室中用于生產(chǎn)均勻厚度涂層的正確幾何形狀。 在大孔徑襯底上或者在裝載有許多小襯底的架子上生產(chǎn)均勻厚度的涂層可以通過對裝有測試件的架子進行重復試驗來完成。從一次試運行到下一次試運行，有意改變了幾何形狀 - 例如蒸發(fā)源的偏移量增加了，直到找到排列。 在本文中，我們首先測量了位于已知徑向距離處的測試件上的涂層的厚度，在真空蒸發(fā)室中的單個旋轉(zhuǎn)平板架上，并使用這些數(shù)據(jù)來查找源發(fā)射函數(shù)。然后使用已知的發(fā)射函數(shù)來確定在直徑上產(chǎn)生厚度均勻性的源偏移和弧線曲率。 更低的成本...更高的投資回報率離子輔助沉積可提供高要求的光學應用所需的高品質(zhì)，無缺陷，低應力，環(huán)境穩(wěn)定（無漂移）的薄膜。 您將受益于：
冷陰極離子源是差分泵浦器件，等離子體腔室的一端通向真空環(huán)境。離子源的操作參數(shù)和薄膜的質(zhì)量受控制真空度的參數(shù)的影響。在抽速很高的系統(tǒng)中制作好的薄膜要容易得多。當比較IAD薄膜沉積參數(shù)時，壓力的差異可能是由泵浦速率引起的。 要了解泵浦速率對冷陰極離子源的影響，請下載我們的技術(shù)文章 download our technical paper.
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| Desk V HP 電子顯微鏡樣品制備 – 金/碳鍍膜機特點(SEM / TEM / FE-SEM)
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| ● 內(nèi)置泵系統(tǒng) ● 極短的沉積時間 ● 一致的沉積參數(shù) ● 圖形界面彩色觸摸板 ● 薄膜厚度控制 ● 樣品清潔的蝕刻模式 ● 多樣靶材材料選擇 ● 更多可選功能 |
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