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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

參考價(jià)	面議

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

促銷時(shí)間：

特價(jià)說明：

促銷詳細(xì)：

2020年01月08日至 2020年02月08日

特價(jià)促銷

模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對人的依賴。

瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。（左圖）照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。

（左圖）照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備
本設(shè)備向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流，測量此時(shí)基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源，提升結(jié)點(diǎn)溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流，測量基極與發(fā)射極之間的電壓，計(jì)算出差值。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）瞬態(tài)熱電阻測量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測量儀器。
P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與源極之間電壓差值的測量儀器。
能夠測量二極管的ΔVF

Model No.	2082B	2083	2085	2086
測量條件	VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS	VCB 2～599V IE 0.1～249.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～99V IE 0.1～99.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS (max) 20V	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%
采樣點(diǎn)	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
偏置條件	?PW 1mS時(shí) VCB 199V IE 29.9A ?PW 1S時(shí) VCB 20V IE 20.0A	?PW 100µS時(shí) VCB 599V IE 250A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 50A	?PW 100µS時(shí) VCB 599V IE 500A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 100A	?PW 100µS時(shí) VCB 99V IE 99.9A ?PW DC時(shí) VCB 10V IE 50A
樣品極性	Nch/Pch NPN/PNP	NPN	NPN	NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W670 D750 H1400	W820 D1350 H1700	W820 D1350 H1700	W670 D750 H1400

Model No.	2087	2185	2186
測量條件	VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S	VCE 5～99V IE 1～399A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S	VCE 10～1200V IE 0.1～99.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVGE 5～1999mV VGE (max) 20V 精度±1%	ΔVGE 10～999mV VGE (max) 20V 精度±1%
采樣點(diǎn)	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
偏置條件	?PW 100µS時(shí) VCB 1200V IE 1000A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 200A	?PW 1mS時(shí) VCE 99V IE 399A ?PW 2S時(shí) VCE 20V IE 100A	?PW 100µS時(shí) VCE 1200V IE 99.9A ?PW 2S時(shí) VCE 20V IE 50A
樣品極性	NPN	Nch NPN	Nch NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W1600 D2000 H1600	W1520 D2100 H1750	W800 D1600 H2000