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PHI 5000 VPIII 多功能型掃描微探針

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PHI VersaProbe III是的掃描 X射線單色化的 XPS設(shè)備,具有**的大面積和微區(qū)分析能力。其設(shè)計(jì)需求是為快速地,空間分辨分析固體表面的元素和化學(xué)態(tài)組成。PHI VersaProbe III 結(jié)合的掃描單色化 X 射線和自動(dòng)化樣品控制以及分析區(qū)域識(shí)別系統(tǒng),可在自動(dòng)化環(huán)境下實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像和多點(diǎn)圖譜分析功能。

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PHI VersaProbe III是的掃描 X射線單色化的 XPS設(shè)備,具有**的大面積和微區(qū)分析能力。其設(shè)計(jì)需求是為快速地,空間分辨分析固體表面的元素和化學(xué)態(tài)組成。PHI VersaProbe III 結(jié)合的掃描單色化 X 射線和自動(dòng)化樣品控制以及分析區(qū)域識(shí)別系統(tǒng),可在自動(dòng)化環(huán)境下實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像和多點(diǎn)圖譜分析功能。

技術(shù)的聚焦掃描型X射線束用于樣品成像和分析,一個(gè)帶有多通道探測(cè)器的半球形能量分析器,一個(gè)高性能低能氬濺射離子*,一個(gè)和技術(shù)的電荷補(bǔ)償系統(tǒng)和一個(gè)大型五軸精密樣品臺(tái)。
為多種技術(shù)系統(tǒng)配置設(shè)計(jì)的。所有激發(fā)源法蘭可安裝和對(duì)準(zhǔn)到一個(gè)共同的分析位置,掃描 X 射線單色器可與其他所選激發(fā)源結(jié)合以實(shí)現(xiàn)多種表面分析技術(shù)聯(lián)用的功能,而且?guī)в懈哒婵諛悠分苽淝皇液蜆悠穫魉蜅U,VersaProbe III 可支持**的研究項(xiàng)目。
提供可選配的的 Ar 氣團(tuán)簇離子束(GCIB)和 C60 濺射離子*用于有機(jī)和無機(jī)材料的表面清潔和薄膜深度剖析。
使用 X射線光電子能譜儀(XPS) 能夠詳細(xì)地分析元素和化學(xué)態(tài),通常也被稱為電子能譜化學(xué)分析儀(ESCA)。其一系列的功能提供了的高性能 XPS 薄膜分析(深度剖析)能力。系統(tǒng)的設(shè)計(jì)可自動(dòng)分析不同類型的樣品而無需更改儀器設(shè)置或參數(shù)設(shè)定。
基于一個(gè)超高真空分析腔室以保護(hù)樣品不受污染,可以對(duì)材料表面、 薄膜結(jié)構(gòu)和表面污染進(jìn)行清晰準(zhǔn)確的元素和化學(xué)態(tài)表征。
分析腔室由480 l/s 差分離子泵和鈦升華泵 (TSP)抽真空。而系統(tǒng)的預(yù)抽氣、 進(jìn)樣腔室抽氣和對(duì)濺射離子*的差分抽氣均由 67 l/s 的分子渦輪泵完成。由于該系統(tǒng)固有的真空清潔度,對(duì)于分析所有類型的樣品,碳?xì)浠衔锖推渌廴径急唤档偷?小水平。
PHI VersaProbe III 的系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)處理都是通過一臺(tái)**PC完成,其基于Windows ® 操作系統(tǒng)和安裝了**軟件。

性能特點(diǎn)

的X射線源

PHI VersaProbe III 是由的高通量的X 射線源產(chǎn)生聚焦單色化的X射線束,可以在樣品表面掃描。
的SXI ™掃描 X 射線成像

PHI VersaProbe III 可對(duì)樣品表面采集 X射線激發(fā)的二次電子像,類似于掃描電鏡采集的二次電子像??捎肧XI 圖像選取分析領(lǐng)域,以保證采集到的圖譜即是所感興趣的圖像區(qū)域。通常1 到 5 秒即可采集一張SXI 圖像。
名副其實(shí)的 X 射線光電子能譜

高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能**的 XPS 分析能力包括 XPS全譜掃描、面分布、深度剖析、線掃描和角分辨分析。
高性能,低能量氬氣離子*

在高能量或低能量的離子作用下,氬氣離子*可對(duì)樣品表面進(jìn)行清潔,以及進(jìn)行 XPS 化學(xué)深度剖析。這個(gè)的功能使其可進(jìn)行單分子層深度分辨率的濺射深度剖析。
與聚焦X射線束相應(yīng),這種離子*在濺射時(shí)可對(duì)樣品進(jìn)行小范圍區(qū)域?yàn)R射,與傳統(tǒng)的XPS系統(tǒng)相比可提高濺射速率。
的電荷中和/補(bǔ)償能力

PHI VersaProbe III 配有一套的PHI 技術(shù)的雙束電荷中和/補(bǔ)償系統(tǒng),其利用冷陰極電子流和氬離子濺射*產(chǎn)生的極低能離子可以對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行荷電中和。
完備靈活的五軸樣品臺(tái)

五軸軟件驅(qū)動(dòng)的樣品臺(tái)可提供一個(gè)穩(wěn)定的具有高度準(zhǔn)確性和重復(fù)性的分析平臺(tái)。X 和 Y ± 25mm的移動(dòng)范圍可探測(cè)到水平 50mm的樣品表面而無需旋轉(zhuǎn)。
常中心旋轉(zhuǎn)的功能用于定位微區(qū)樣品特征以進(jìn)行離子刻蝕和分析。
20mm的 Z 軸移動(dòng)范圍使樣品操作靈活。
0o 到 90o 的傾斜軸范圍可實(shí)現(xiàn)角分辨XPS 測(cè)量(帶有型號(hào) 279HCA 的樣品裝載)。
提供多種樣品放置類型:

型號(hào) 190HC – 2 個(gè):直徑25.4 mm (1 inch.),不銹鋼樣品托可放置直徑達(dá)25.4 mm的樣品。
型號(hào) 191HC – 2 個(gè):直徑25.4 mm (1 inch),不銹鋼樣品托,有凹槽適宜放置粉狀或塊狀樣品。凹槽大小為 10 x 20 x 5 mm (0.4 x 0.8 x 0.2 inches)。
冷/熱樣品臺(tái)選項(xiàng)

根據(jù)研發(fā)的需要,PHI VersaProbe III多功能的技術(shù)平臺(tái)可選項(xiàng)配備:

10keV的C60離子*
雙陽極,非單色X射線源
紫外線光源
95毫米的樣品處理
熱/冷樣品處理
可選的AES電子*
真空轉(zhuǎn)移平臺(tái) (Vacuum Transfer Vessel)

應(yīng)用領(lǐng)域

Micro-Electronics 微電子, 電子封裝
Polymer 高份子材料
Tribology 摩擦學(xué)
Magnetic 磁性材料, 硬盤, 藍(lán)光光盤
Display Industries 顯示工業(yè)
Graphene 石墨稀
Catalysis 催化劑
Energy related 能源產(chǎn)業(yè)
Glass 玻璃
Metal 金屬
Ceramic 陶瓷
Semi-conductors 半導(dǎo)體
Bio-Medical 生醫(yī)科學(xué)


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