優(yōu)勢(shì)：
1、第二代CCD全譜光譜儀制造技術(shù)（數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不受限制 ；
2、引進(jìn)歐洲技術(shù)、同國(guó)際光譜儀技術(shù)同步，國(guó)內(nèi)能生產(chǎn)真空CCD全譜技術(shù)光譜儀的制造商；
3、基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費(fèi)用
4、升級(jí)多基體方便，無(wú)須變動(dòng)增加硬件 ；
5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時(shí)間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)一致性 ；
6、體積小、重量輕， 移動(dòng)安裝方便 ；
7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 ；
8、節(jié)電、節(jié)材、能耗只是普通光譜儀50%。
主要特點(diǎn)：
1、可測(cè)定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦基，鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍，可根據(jù)客戶(hù)需要選擇通道元素；
2、分析速度快捷，20秒內(nèi)測(cè)完所有通道的元素成分。針對(duì)不同的分析材料，通過(guò)設(shè)置預(yù)燃時(shí)間及標(biāo)線(xiàn)，使儀器用短的時(shí)間達(dá)到優(yōu)的分析效果；
3、光學(xué)系統(tǒng)采用真空恒溫光室， 激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導(dǎo)入真空光室，實(shí)現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗，提高檢出限，測(cè)定結(jié)果準(zhǔn)確，重現(xiàn)性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性；
4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使真空室容積更小，抽真空速度不到普通光譜儀的一半；
5、自動(dòng)光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線(xiàn)掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線(xiàn)，與原存儲(chǔ)線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，確定漂移位置，找出分析線(xiàn)當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測(cè)定；
6、開(kāi)放式的電極架設(shè)計(jì)，可以調(diào)整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；
7、工作曲線(xiàn)采用國(guó)際標(biāo)樣，預(yù)做工作曲線(xiàn)，可根據(jù)需要延伸及擴(kuò)展范圍，每條曲線(xiàn)由多達(dá)幾十塊標(biāo)樣激發(fā)生成，自動(dòng)扣除干擾；
8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源，適應(yīng)各種不同材料 ；
9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對(duì)光室的污染，提高長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性；
10、銅火花臺(tái)底座，提高散熱性及堅(jiān)固性能；
11、合理的氬氣氣路設(shè)計(jì)，使樣品激發(fā)時(shí)氬氣沖洗時(shí)間縮短，為用戶(hù)節(jié)省氬氣，氬氣消耗不到普通光譜儀的一半；
12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長(zhǎng)，并設(shè)計(jì)了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；
13、高性能DSP及ARM處理器，具有超高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運(yùn)行狀況；
14、儀器與計(jì)算機(jī)之間采用以太網(wǎng)連接，抗干擾性能好，外部計(jì)算機(jī)升級(jí)與儀器配置無(wú)關(guān)，使儀器具有更好的適用性；
15、核心器件全部，保證了儀器優(yōu)秀的品質(zhì)。
技術(shù)指標(biāo)
光學(xué)系統(tǒng)
光學(xué)結(jié)構(gòu)：帕邢-龍格結(jié)構(gòu)的全譜真空型光學(xué)系統(tǒng)
光室溫度：自動(dòng)控制恒溫：35℃±0.5℃
波長(zhǎng)范圍：160-800nm
光柵焦距：350 mm
光柵刻線(xiàn)：3600 l/mm
一級(jí)光譜線(xiàn)色散率：1.2 nm/mm
探測(cè)器：多塊高性能線(xiàn)陣CCD
平均分辨率：10pm/pixel
激發(fā)臺(tái)
氣體：沖氬式
氬氣流量：激發(fā)時(shí)3-5L/min， 待機(jī)時(shí):無(wú)須待機(jī)流量
電極：鎢材噴射電極技術(shù)
吹掃：點(diǎn)擊自吹掃功能
補(bǔ)償：熱變形自補(bǔ)償設(shè)計(jì)
分析間隙：樣品臺(tái)分析間隙：4mm
激發(fā)光源
類(lèi)型：HEPS數(shù)字化固態(tài)光源
頻率：100-1000Hz
放電電流：1-80A
特殊技術(shù)：放電參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
預(yù)燃：高能預(yù)燃技術(shù)
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
處理器：ARM處理器，高速數(shù)據(jù)同步采集處理
接口：基于DM9000A的以太數(shù)據(jù)傳輸
電源與環(huán)境要求
輸入：220VAC 50Hz
功率：分析時(shí)700W，待機(jī)狀態(tài)40W
工作溫度：10-30℃（該溫度范圍內(nèi)溫度變化不大于5℃/h）
工作濕度：20-80%
尺寸與重量
尺寸：800*450*500 mm
重量：85Kg
地址：太原市南中環(huán)200號(hào)
