SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片單片集成多比特光時延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit。

SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片

    SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片單片集成多比特光時延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit。

。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時延芯片，光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串擾和非目標時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數(shù)量級的頻率比，光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

硅基11位可調(diào)光延遲線參數(shù)如下：