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簡介：兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。

簡介：OursinglecrystalGeTe（Germaniumluride）crystalscomewithguaranteedanisotropy,electronic,andopticalgra...

簡介：兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

簡介：ThefirstcommercialvdWlurium（b-phase）crystals.Layeredluriumcrystalshavebeensynthesizedinperfectlyvd...

簡介：兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。

簡介：OurRamp;Dteamareabouttoreleasenewlurenenanowiresseries（inlateMarch,2018）,youmaypre-ordertheseprodu...

簡介：碲化鉍晶體Bi2Te3（Bismuthluride）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓?fù)浣^緣體的晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.438nm,c=3.050nm,α=β=90#1...

簡介：ZirconiumTriluridebelongstothegroup-IVtransitionmetaltrichalcogenides.

簡介：二碲化鉿晶體HfTe2（Hafniumluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.395nm,c=0.666nm,α=β=90#176;,γ=120#1...

簡介：SimilartographeneandMoS2,TiTe?isalsolayeredmaterial（layeredtransitionmetaldichalcogenide）crystalli...

簡介：二碲化鉬晶體1T-MoTe2（MolybdenumDiluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a=0.621nm,b=0.347nm,c=1.383nm,α=γ...

簡介：硒化鉍晶體Bi2Se3（BismuthSelenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：拓?fù)浣^緣體晶體結(jié)構(gòu)：菱面體晶胞參數(shù)：a=b=0.413,c=2.856nm,α=β=90#176;,γ=120#...

簡介：二碲化鈮晶體NbTe2（NiobiumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC~0.7k）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系，C晶胞參數(shù)：a＝1.470nm，b＝0.364，c＝0.935...

簡介：硒化鎵晶體2H-GaSe（GalliumSelenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.374nm,c=1.592nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：二碲化鈦晶體TiTe2（TitaniumDiluride）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.377nm,c=0.649nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：硒化鍺晶體GeSe（GermaniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a=0.383nm,b=0.440nm,c=1.078nm,α=β=γ=90...

簡介：二碲化鎢晶體WTe2（TungstenDiluride）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半金屬，typeIIWeylsemimetal（WSM）晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系P晶胞參數(shù)：a=0.348nm,b=0...

簡介：二硒化鉿晶體HfSe2（HafniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.3745nm,c=0.6160nm,α=β=90#176;,γ=1...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a=1.430nm，B=0.403nm，C=0.986nm，α=γ=90#176;，β=95.40晶體類型：合...

簡介：硒化銦晶體In2Se3（IndiumSelenide）晶體尺寸：8-10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.398nm,c=18.89nm,α=β=90#176;,γ=120...