国产欧美精品一区二区三区色大师,最新国产AV无码专区亚洲AVn ,涩涩视频免费在线观看,亚洲不卡无码二区

簡介：二碲化鎢晶體WTe2（TungstenDiluride）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半金屬，typeIIWeylsemimetal（WSM）晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系P晶胞參數(shù)：a=0.348nm,b=0...

簡介：二硒化鈮晶體2H-NbSe2（NiobiumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC~7.2k）ChargeDensityWaves（CDW）system,Tcdw~33...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a=1.430nm，B=0.403nm，C=0.986nm，α=γ=90#176;，β=95.40晶體類型：合...

簡介：二硒化鉑晶體PtSe2（PlatinumSelenide）晶體尺寸：2-3毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.375nm,c=0.506nm,α=β=90#176;,γ=12...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW~170K）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶晶胞參數(shù)：a=1.479nm，B=0.364nm，C=0.934nm，α=γ=90#176;，β=110...

簡介：二硒化錸晶體ReSe2（RheniumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：n型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a=0.658nm,b=0.670nm,c=0.672nm,α=91.75...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，熱電性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.425nm，C=3.048nm，α=β=90#176;γ=120晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%...

簡介：二硒化錫晶體SnSe2（TinSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.381,c=0.614nm,α=β=90#176;,γ=120#176;晶體...

簡介：晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~63K），超導(dǎo)體（TC~2K）晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a=0.5864nm，B=0.3918nm，C=1.009nm，α=γ=90#176...

簡介：二硒化鉭晶體2H-TaSe2（TantalumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal,Chargedensitywaves（CDW）systemat~120K,Supercon...

簡介：二碲化鉬晶體2H-MoTe2（MolybdenumDiluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.353nm,c=1.396nm,α=β=90,γ=...

簡介：硒化鈦1T-TiSe2（TitaniumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.354nm,c=0.601nm,α=β=90...

簡介：二碲化鈀晶體PdTe2（PalladiumDiluride）晶體尺寸：2-3毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（Tc~1.7K）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.4035nm,c=0.5105nm,α...

簡介：二硒化釩晶體VSe2（VanadiumDiselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.336nm,c=0.609nm,α=β=90...

簡介：二碲化鉑晶體PtTe2（PlatinaDiluride）晶體尺寸：2~3毫米電學(xué)性能：金屬，順磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.4000nm,c=0.5192nm,α=β=90#176;,...

簡介：二硒化鎢晶體WSe2（TungstenDiselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.328nm,c=1.298nm,α=β=90#17...

簡介：化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%）Fe3GeTe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6...

簡介：二硒化鋯晶體ZrSe2（ZirconiumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.377,c=0.614nm,α=β=90#176;,γ=120#...

簡介：Bismuthluride（Bi?Te?）Developedatourfacilitiessinceearly2013tooptimizetheperfectstoichiometryandsta...

簡介：晶體尺寸：亞毫米大小電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a=1.217nm，B=0.3688nm，C=0.8381nm，α=γ=90#176;，β=102.87晶體類型：合成晶體純度：＞99...