PICOSUN™ R-200高級型ALD系統(tǒng)是ALD科研設(shè)備市場的， 在擁有百用戶。它已經(jīng)成為一些創(chuàng)新公司和研究機構(gòu)的研發(fā) 工具。
靈活的設(shè)計確保沉積高質(zhì)量的ALD薄膜，超靈活的系統(tǒng)配置也能滿足用戶未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計、獨立的前驅(qū)體管 路和特殊的載氣設(shè)計， 使得無顆粒沉積廣泛 應(yīng)用于平面晶圓、 3D基片和所有納米尺度的 材料。即使在挑戰(zhàn)性的多孔材料、超高深 寬比和納米顆粒表面沉積， 系統(tǒng)都能實現(xiàn)的均勻性， 這些都歸功于我們的技術(shù) Picoflow™。Picosun™R-200高級型系統(tǒng)配備功 能強大和易于更換的液體、氣體和固體前驅(qū)體源。高效率和擁有的遠程等離子選項 可以沉積金屬而不發(fā)生短路，不存在等離子 體損壞的危險。系統(tǒng)可集成手套箱， 超高真空 系統(tǒng)、手動或半自動加載系統(tǒng)， 集群系統(tǒng)， 粉末反應(yīng)腔， 卷對卷反應(yīng)腔和各種在線分析系統(tǒng)， 使您的研究變得高效和靈活。 即使將來您改變研究領(lǐng)域， 它依舊會是您幫手！
技術(shù)參數(shù)：
襯底尺寸和類型
? 50-200 mm/片
? 156 mm x 156 mm 太陽能硅片
? 3D 復(fù)雜表面襯底
? 粉末與顆粒
? 小批量
? 多孔， 通孔， 高深寬比（HAR）樣品 （可達 1:2500）
工藝溫度
? 50 – 500 °C ，等離子450°C (650 °C加熱盤可定制)
沉積材料
? Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, 以及金屬Pt 或者 Ir
基片加載
? 氣動升降， 手動裝載
? 預(yù)真空室安裝磁力操作機械手（Load lock）
? 半自動機械裝置
? 集群系統(tǒng)的批量裝載（Cassette-to-cassette）
前驅(qū)體
? 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體
? 6根獨立源管線， 最多加載12個前驅(qū)體源（加 上 Plasma管路， 共7根獨立源管線）
選件
? 集群工具， PICOFLOW™擴散增強器， roll-to- roll腔室、超高真空兼容、 RGA、N2發(fā)生器、尾 氣處理器、定制設(shè)計， 手套箱集成（用于惰性 氣體下裝載）
