美國AEP Technology公司主要從事半導體檢測設(shè)備, MEMS檢測設(shè)備, 光學檢測設(shè)備的生產(chǎn)制造，是表面測量解決方案行業(yè)的*供應(yīng)者,專門致力于材料表面形貌測量與檢測。
NANOMAP D光學探針雙模式輪廓儀/三維形貌儀
美國AEP Technology公司主要從事半導體檢測設(shè)備, MEMS檢測設(shè)備, 光學檢測設(shè)備的生產(chǎn)制造，是表面測量解決方案行業(yè)的供應(yīng)者,專門致力于材料表面形貌測量與檢測。
NANOMAP D光學雙模式輪廓儀/三維形貌儀集白光干涉非接觸測量法和大面積SPM掃描探針接觸式高精度掃描成像于一個測量平臺。功能全，技術(shù)*的表面三維輪廓測量顯微鏡。既有高精密度和準確度的局部（Local）SPM掃描，又具備大尺度和高測量速度；既可用來獲得樣品表面垂直分辨率高達0.05nm的三維形態(tài)和形貌，又可以定量地測量表面粗糙度及關(guān)鍵尺寸，諸如晶粒、膜厚、孔洞深度、長寬、線粗糙度、面粗糙度等，并計算關(guān)鍵部位的面積和體積等參數(shù)。樣件無須專門處理，在高速掃描狀態(tài)下測量輪廓范圍可以從1nm 到10mm。由于采用*的縫合技術(shù)，無論怎樣的表面形態(tài)、粗糙程度以及樣品尺寸，一組m×n圖像可以被縫合放大任何倍率，在高分辨率下創(chuàng)造一個大的視場，并獲得所有的被測參數(shù)。該儀器的應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了薄膜/涂層、光學，工業(yè)軋鋼和鋁、紙、聚合物、生物材料、陶瓷、磁介質(zhì)和半導體等幾乎所有的材料領(lǐng)域。
隨著微細加工技術(shù)的不斷進步,微電路、微光學元件、微機械以及其它各種微結(jié)構(gòu)不斷出現(xiàn)，對微結(jié)構(gòu)表面形貌測量系統(tǒng)的需求越發(fā)迫切, NanoMap-D所具備的雙模式組合，結(jié)合了白光干涉非接觸測量及SPM掃描探針高精度掃描成像于一體，克服了光學測量及掃描探針接觸式的局限性，并具有操作方便等優(yōu)點成功地保證了其在半導體器件，光學加工以及MEMS/MOEMS技術(shù)以及材料分析領(lǐng)域的地位。
NANOMAP D光學雙模式輪廓儀/三維形貌儀經(jīng)過廣泛嚴格的檢測，確保其作為測量儀器的標準性和性，并保證設(shè)備的各種功能完好，各個部件發(fā)揮出色。用NIST標準可以方便快捷地校驗系統(tǒng)的精度，所校準用的標樣為獲得美國國家標準局( NIST) 的計量單位的認可。
NanoMap-D配備的軟件提供了二維分析、三維分析、表面紋理分析、粗糙度分析、波度分析、PSD分析、體積、角度計算、曲率計算、模擬一維分析、數(shù)據(jù)輸出、數(shù)據(jù)自動動態(tài)存儲、自定義數(shù)據(jù)顯示格式等。綜合繪圖軟件可以采集、分析、處理和可視化數(shù)據(jù)。表面統(tǒng)計的計算包括峰值和谷值分析?；诟盗⑷~變換的空間過濾工具使得高通、低通、通頻帶和帶阻能濾波器變的容易。多項式配置、數(shù)據(jù)配置、掃描、屏蔽和插值。交互縮放。X-Y和線段剖面。三維線路、混合和固定繪圖。用于階越高度測量的地區(qū)差異繪圖。
NANOMAP D光學雙模式輪廓儀/三維形貌儀主要功能及應(yīng)用:
精確定量的面積（空隙率，缺陷密度，磨損輪廓截面積等）、體積（孔深，點蝕，圖案化表面，材料表面磨損體積以及球狀和環(huán)狀工件表面磨損體積等）、臺階高度、線與面粗糙度,透明膜厚、薄膜曲率半徑以及其它幾何參數(shù)等測量數(shù)據(jù)。
薄/厚膜沉積后測量其表面粗糙度和臺階高度,表面結(jié)構(gòu)形貌, 例如太陽能電池產(chǎn)品的銀導電膠線
亞微米針尖半徑選件和埃級別高度靈敏度結(jié)合，可測量溝槽深度形貌。
分析軟件可輕易計算40多種的表面參數(shù)，包括表面粗糙度和波紋度。計算涵蓋二維或三維掃描模式。
可從測量結(jié)果中計算曲率或區(qū)域曲率
測量薄膜應(yīng)力，能幫助優(yōu)化工藝，防止破裂和黏附問題
無論是二維面積中的坡度和光滑度，波紋度和粗糙度，還是三維體積中的峰值數(shù)分布和承載比，本儀器都提供相應(yīng)的多功能的計算分析方法。
*的功能性檢測表面特征，表面特征可由用戶自定義。一旦檢測到甚至細微特征，能在掃描的中心被定位和居中，從而優(yōu)化缺陷評價和分析。
