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簡介:二硒化鉿晶體HfSe2(HafniumSelenide)晶體尺寸:~10毫米電學性能:半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.3745nm,c=0.6160nm,α=β=90#176;,γ=1...
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簡介:NiobiumatomsareperfectlyincorporatedintoReSe?matrix.
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簡介:硒化銦晶體In2Se3(IndiumSelenide)晶體尺寸:8-10毫米電學性能:半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.398nm,c=18.89nm,α=β=90#176;,γ=120...
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簡介:OurMoWSe2alloyswiththechemicalformulaMoxW(1-x)Se2crystalsperfectlycrystallizein2Hphaseandcomeatdif...
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簡介:二硒化鉬晶體2H-MoSe2(MolybdenumDiselenide)-P型晶體尺寸:~10毫米電學特性:P型半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.329nm,c=1.289nm,α=β=...
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簡介:Superconductivityinmonolayers.Currently,2Daspectofthismaterialremainslargelyunexplored.
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簡介:晶體尺寸:~6毫米電學性能:半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):取決于合金成分:a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.29nm,α=β=90#176;,γ=120#176;晶體類型:合...
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簡介:NiobiumatomsareperfectlyincorporatedintoReSe?matrix.
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簡介:硒化鎢鉬晶體MoWSe2(MolybdenumTungstenDiselenide)晶體尺寸:6毫米電學性能:半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):取決于合金成分:a=b=0.31-0.33nmandc...
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簡介:HighpurtiyWSe2crystalshavebeenI2(iodine)intercalatedtoachievep-typedoping.
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簡介:二硒化鈮晶體2H-NbSe2(NiobiumSelenide)晶體尺寸:~10毫米電學性能:金屬,半導體(TC~7.2k)ChargeDensityWaves(CDW)system,Tcdw~33...
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簡介:ThefirstMoWTe2ternaryalloy.
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簡介:二硒化鉑晶體PtSe2(PlatinumSelenide)晶體尺寸:2-3毫米電學性能:半金屬晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.375nm,c=0.506nm,α=β=90#176;,γ=12...
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簡介:Inthebulkform(TlSe),Thaliumselenide,hasband-gapataround0.7eVanddisplaystrongphotoluminescence.
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簡介:二硒化錸晶體ReSe2(RheniumSelenide)晶體尺寸:~8毫米電學性能:n型半導體晶體結構:三斜晶系晶胞參數(shù):a=0.658nm,b=0.670nm,c=0.672nm,α=91.75...
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簡介:World'sfirstcommerciallyavailablePbGa2Se4crystals!
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簡介:二硒化錫晶體SnSe2(TinSelenide)晶體尺寸:~8毫米電學性能:半導體晶體結構:六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.381,c=0.614nm,α=β=90#176;,γ=120#176;晶體...
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簡介:Thisitemiscurrentlyoutofstock.Pleaseexpect4-6weeksleadtime.
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簡介:二硒化鉭晶體2H-TaSe2(TantalumSelenide)晶體尺寸:~10毫米電學性能:Metal,Chargedensitywaves(CDW)systemat~120K,Supercon...
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簡介:SimilartographeneandMoS?,VSe?isalsolayeredmaterial(layeredtransitionmetaldichalcogenide)crystalliz...
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